昆明凈化：凈化工程潔凈室如何進行溫度、氣壓控制？

　　1.潔凈室溫濕度控制

　　昆明凈化工程潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定的，但在滿足工藝要求的條件下，還要考慮到人的舒適度。隨著空氣潔凈度要求的提高，有一種趨勢是工藝對溫度和濕度的要求越來越嚴格具體工藝對溫度的要求后面會列出來，但作為一般原理，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求也越來越小。例如，在大規模集成電路生產的光刻曝光過程中，作為掩模板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數差越來越小。當直徑為100 um的硅片溫度升高1度時，會引起0.24um的線膨脹。因此，它的溫度必須恒定在±0.1度。

　　同時濕度值一般較低，因為人出汗，對產品會有污染，特別是半導體車間怕鈉，不宜超過25度。過多的濕度會引起更多的問題。當相對濕度超過55%時，會在冷卻水管壁上形成凝結，如果發生在精密設備或電路上，就會引起各種事故。相對濕度在50%時容易生銹。另外，當濕度過高時，附著在硅片表面的灰塵會通過空氣中的水分子化學吸附在硅片表面。相對濕度越高，去除附著力越困難。但當相對濕度低于30%時，由于靜電力的作用，顆粒容易被吸附在表面，大量半導體器件容易擊穿。生產硅片的適合溫度范圍是35-45%。

　　2.昆明凈化工程潔凈室的氣壓調節

　　對于大多數潔凈空間，需要保持內部壓力(靜壓)高于外部壓力(靜壓)，以防止外部污染的侵入。壓差的維持一般應遵循以下原則:

　　1.潔凈空間的壓力高于不潔凈空間的壓力。

　　2.高潔凈度空間的壓力大于相鄰低潔凈度空間的壓力。

　　3.連接潔凈室的門應開向潔凈度等級高的房間。

　　壓差的維持取決于新風量，新風量應在此壓差下補償通過縫隙的漏風。所以壓差的物理意義是指通過潔凈室各種縫隙的泄漏(或滲透)風量的阻力。